　　世界最小級(jí)5G基站恒溫振蕩器的開(kāi)發(fā)?日本電波哪里來(lái)的底氣?
　　日本電波株式會(huì)社即是我們常說(shuō)的NDK晶振;眾所周知,該公司在車(chē)載產(chǎn)品方面可以說(shuō)是位居世界車(chē)載元件領(lǐng)域的首位的;但是從今年開(kāi)始,該公司似乎開(kāi)始大舉進(jìn)軍5G行業(yè),從年初至今推出的新品和產(chǎn)品性能優(yōu)化的產(chǎn)品大部分都是可應(yīng)用于5G通信或是5G基站的;這不前幾日又推出了世界最小級(jí)5G基站恒溫振蕩器的開(kāi)發(fā)技術(shù).

　　為了在5G和本地5G的普及下實(shí)現(xiàn)高速,大容量通信和超低延遲通信,系統(tǒng)通過(guò)安裝大量小型基站來(lái)覆蓋該區(qū)域.這些小型基站將安裝在室外鋼管,屋頂,墻壁和其他狹窄空間的頂部,并且安裝場(chǎng)所的環(huán)境將暴露在直射的陽(yáng)光,風(fēng)和雨中,使其比以前更加嚴(yán)格.
　　由于小型基站設(shè)備的內(nèi)部組件受高密度安裝和高溫高濕的外部環(huán)境變化所導(dǎo)致的內(nèi)部溫度升高的影響,因此,緊湊的高穩(wěn)定性晶體振蕩器在高溫下具有穩(wěn)定的工作狀態(tài),具有良好的溫度斜率特性且具有良好的相位噪聲特性.
　　為了滿(mǎn)足這些需求,我們通過(guò)開(kāi)發(fā)專(zhuān)用的ASIC實(shí)現(xiàn)了小型化,該ASIC在單個(gè)芯片上包含所有振蕩器電路,溫度控制電路和OCXO的其他組件.
　　此外,通過(guò)利用從石英晶體生長(zhǎng)到晶體振蕩器制造的集成制造優(yōu)勢(shì),我們開(kāi)發(fā)了使用高Q晶體石英的小型SC切割振蕩器,以實(shí)現(xiàn)高穩(wěn)定性和低噪聲5G系統(tǒng)所需.此外,與傳統(tǒng)的高精度TCXO相比,溫度斜率特性的值達(dá)到±0.1x10-9/°C,為1/200.另外,不引入濕氣和灰塵的氣密包裝的適應(yīng)性提高了可靠性.
　　這款OCXO有源晶振的參數(shù)規(guī)格如下表所示:

Dimensions	7.0x5.0x3.3mm
Nominal Frequency Range	10MHzto50MHz
Standard Frequency	20M,30.72M,38.88M,48MHz
Output	LVCMOS
Supply Voltage[VCC]	DC+3.3V
Power Consumption(whenstable)	Max.0.6W
Operating Temperature Range	-40°Cto+95°C
Frequency/Temperature Slope Characteristics	Typ.+/-0.1x10-9/°C
Frequency/Temperature Characteristics	Max.+/-20x10-9

　　單單從尺寸上來(lái)看,確實(shí)可以稱(chēng)得上是世界最小級(jí),因?yàn)橐话愕暮銣鼐д穸际浅叽绫容^大的,長(zhǎng)款均在十毫米以上,所以它多用在一些對(duì)尺寸要求不高,并且工作環(huán)境比較復(fù)雜的工業(yè)級(jí)產(chǎn)品之上,通信基站就是其中之一;而這款采用NDK最新制造技術(shù)生產(chǎn)的OCXO有源晶振的體積僅僅只有7.0*5.0mm.

世界最小級(jí)5G基站恒溫振蕩器的開(kāi)發(fā)?日本電波哪里來(lái)的底氣?

　　當(dāng)然,值得稱(chēng)贊的不僅僅是其外觀封裝尺寸,還有它的工作溫度可高達(dá)+95攝氏度,對(duì)于工業(yè)級(jí)電子設(shè)備來(lái)說(shuō)這樣的溫度承受力已經(jīng)足夠了.該恒溫有源石英晶振輸出邏輯采用LVCMOS(低壓模式),這種輸出方式有CMOS高驅(qū)動(dòng)功率的性能,并且同等條件下相位噪聲比CMOS更小.

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